CASICON 2023深圳前瞻 |大连理工大学王德君教授：碳化硅栅氧技术及未来挑战
2023/10/12
2023化合物半导体器件与封装技术论坛将于10月12-13日在深圳·国际会展中心（宝安新馆）· 3号馆·封测剧院召开。届时，大连理工大学王德君教授将受邀出席论坛，并分享《碳化硅栅氧技术及未来挑战》主题演讲。
封装是功率半导体产业链中不可或缺的一环，主要起着安放、固定、密封、保护芯片，以及确保电路性能和热性能等作用。采用合理的封装结构、合适的封装材料，以及先进的封装工艺技术，可以获得良好的散热性能，确保高电压、大电流的功率器件的正常使用，并能在工作环境下稳定可靠地工作。此外，封装对于功率器件乃至整个系统的小型化、高度集成化及多功能化起着关键的作用。为了提高功率半导体器件的性能，必然会对封装提出更高的要求。
栅氧技术是碳化硅MOSFET器件的核心关键技术，它与器件的可靠性密切相关。大连理工大学在SiC器件领域经二十余年技术积累，率先解决了栅氧缺陷分析和缺陷物理参数分离难题，形成了SiC MOS器件栅氧可靠性分析测试技术成套解决方案；并开发了SiC MOS器件栅氧化新技术等诸多成果，为服务器件制造产业提供了强有力的支撑。届时，王德君教授将出席论坛并将在《碳化硅栅氧技术及未来挑战》主题报告中，详细介绍高温栅氧技术及未来挑战，以及先进栅氧化技术及未来挑战，内容涉及缺陷理论、测试分析、制造技术及装备等。
